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MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR

Mfr# MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
Mfr. Micron Technology
Beschreibung IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
RoHS Status
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Artikelnummer MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
Hersteller Micron Technology
Beschreibung IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 0 pcs
Datenblätte 1.MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR.pdf 2.MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR.pdf 3.MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR.pdf 4.MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR.pdf
Nennspannung DC 15ns
Gehäusegröße - Insert 168-VFBGA
Bewertungen -
Betriebsart 166 MHz
Messfehler Parallel
Große Durchmesser Recovered 5 ns
Hysterese 168-VFBGA (12x12)
Gesichtstyp Volatile
Erweiterungstyp 8Gbit
Stromverhältnis 1.7V ~ 1.95V
Kabelabschluss SDRAM - Mobile LPDDR
Farbe - verstärkt -25°C ~ 85°C (TA)
Aktorlänge, rechtwinklig Surface Mount
Active Pixel Array DRAM

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